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- 硅单晶靶,p掺杂(100)3”x 4.0 mm,未经抛光tg - sipa76d40cn
- 硅单晶靶,n型,未掺杂,(100)ori。, 3 "直径x 6.0 mm,细磨,R1000欧姆。cm- tg - siu76d60cn
- ZnS目标,99.99%,4“直径x1/8”,铜垫板
- 硅单晶靶,n型,未掺杂4"x0.25",未抛光R:1000欧姆。cm - TG-GaN15D30CN
- 含铜衬底和复板的PbS靶,纯度:99.99%
- MgO单晶蒸发,5x5x5毫米切割
- 用于蒸发的MgF2单晶,2.8-6mmm单位:克
- 用于薄膜电池阴极的LiNiCoMnO2靶
- LiMn2O4薄膜电池正极靶
- LiFePO4薄膜电池正极靶
- 用于蒸发GaAs单晶,切割5x5x5毫米
- CdWO4单晶用于蒸发,5x5x5毫米为切割
- CaF2单晶用于蒸发,5x5x5毫米切割
- GaN Target, 99.99% 15mmx3.0mm,TG-GaN15D30CN
- 导电陶瓷靶(1" Dx 0.3 mm t) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
- BiFeO3靶材,3"直径x 0.125"厚,与铜(Cu)垫板(0.111"厚)结合
- Al2O3单晶用于蒸发,纯度99.99%,切割5x5x5毫米
- 氧化铝靶材,纯度:99.99%,6.9"x8.9"x0.25"厚,Target-Al2O3-172-222- 0635cn
- Ba0.5Sr0.5TiO3目标,99.99%
- Zr Target, 99.99%,8.9"x6.9"x0.25",TG-Zr-222-172-0635CN
- 铜(1%Ga)目标,纯度:99.99% 4"直径。x0.25”
- Cd目标,纯度:99.999% 2"直径。x1/8"与铜背板
- 高纯度不锈钢靶,直径2英寸。x 0.3毫米
- Cu(9)In(11)靶,纯度:99.99%,4”直径。x 0.125”
- 镓掺杂氧化锌(GZO)陶瓷靶(3.4%掺杂),99.99%,6.9 " x 4.3 " x 0.2 "
- 高纯度铱(Ir)靶
- 高纯金(Au)靶
- 高纯铜(Cu)溅射靶
- 高纯银靶
- 铜垫板靶
- 高纯氧化锌(ZnO)靶
- 高纯度SrTiO3目标1“直径x 0.25”厚度陶瓷
- 高纯硒化铅靶,2.003"直径x 0.129 "
- 高纯铝靶,99.99%
- 高纯99.99%氧化铝靶材,2英寸直径。x 2毫米
- Pt目标,99.99% 2"x3.0mm
- SrTiO3靶材,99.99% 2"直径x 0.25"厚度陶瓷tg - sto - 50d0635 - us
- SrRuO3目标99.9% 2 "直径x 0.25"厚度- tg -SrRuO3- 50d06 - us5