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- SI单晶靶,P掺杂(100)3“x 4.0 mm,未抛光-TG-SIPA76D40CN
- Si单晶靶,N型,未掺杂,(100)ORI。,3''DIA x 6.0 mm,细地,R1000欧姆。CM-TG-SIU76D60CN
- ZNS目标,99.99%,4个“DIA X1 / 8”,带铜背板
- Si单晶目标,n型,未掺杂4“x0.25”,未亮笔r:1000 ohm.cm-tg-gan15d30cn
- PBS靶向铜背衬和包层板,纯度:99.99%
- MgO单晶蒸发,5x5x5 mm切割
- MgF2单晶蒸发,2.8-6mmm单位:克
- 薄膜电池阴极的LinicomnO2靶
- Limn2O4薄膜电池阴极的靶
- LiFepo4薄膜电池阴极的目标
- GaAs单晶用于蒸发,5x5x5 mm切割
- CDWO4单晶用于蒸发,5x5x5 mm切割
- CAF2单晶用于蒸发,5x5x5 mm切割
- GaN目标,99.99%15mmx3.0mm,TG-GaN15D30CN
- 导电陶瓷靶标(1“DX 0.3mm T)LI1.5AL0.5GE1.5P3O12
- BiFeO3靶材,3”直径x 0.125”厚与铜(铜)底板(0.111”厚)粘结
- Al2O3单晶用于蒸发,纯度99.99%,切割为5x5x5 mm
- Al2O3目标,纯度:99.99%,6.9“x8.9”x0.25“厚,目标-Al2O3-172-222-0635CN
- Ba0.5Sr0.5TiO3目标,99.99%
- ZR目标,99.99%,8.9“X6.9”X0.25“,TG-ZR-222-172-0635CN
- Cu(1%Ga)靶标,纯度:99.99%4“Dia。X0.25”
- CD目标,纯度:99.999%2“直径X1 / 8”,带铜背板
- 高纯度不锈钢靶材,直径2英寸。x 0.3毫米
- Cu(9)在(11)靶标中,纯度:99.99%,4“Dia.x 0.125”
- 镓掺杂氧化锌(GZO)陶瓷靶标(3.4%掺杂剂),99.99%,6.9''x 4.3''x 0.2''
- 高纯度铱(IR)目标
- 高纯金(AU)目标
- 高纯度铜(Cu)溅射靶
- 高纯银靶
- 铜板靶
- 高纯度氧化锌(ZnO)靶
- 高纯度SRTIO3目标1“DIA×0.25”厚度陶瓷
- 高纯度铅硒化硒(PBSE)目标,2.003“DIA X 0.129”'
- 高纯度铝(Al)靶标,99.99%
- 高纯度99.99%氧化铝(Al2O3)靶标,2“直径。x 2mm
- PT目标,99.99%2“X3.0mm
- SrTiO3靶材,99.99% 2”直径x 0.25”厚度
- SRRUO3目标99.9%2“DIA X 0.25”厚度-TG-SRRUO3-50D06-US5